Infineon IRFB4110GPBF
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Obsolete
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Price @ 1000
$ 2.07
$ 1.1
Stock
138,325
1,169,322
Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
4.5 mΩ
4.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
370 W
370 W
Input Capacitance
9.62 nF
9.62 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
Verwandte Teile
InfineonIRFB3077PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 2.8Milliohms;ID 210A;TO-220AB;PD 370W;-55de
InfineonIRFB4310PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 5.6 Milliohms;ID 130A;TO-220AB;PD 300W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB4110GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET, 100V, 180A, 4.5 MOHM, 150 NC QG, TO-220AB, HALOGEN-FREE
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; On Resistance Rds(On):0.0045Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time88 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.62 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation370 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time67 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time78 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Datenblätter und Dokumente
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