Diodes Inc. ZXMHC3A01N8TC
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF9952TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC / Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
InfineonIRF7306TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMHC3A01N8TC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC / Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 30 V, 30 V, 2.17 A, 2.17 A, 0.125 ohm
30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge, 0.87 W, RoHS
Diodes Inc SCT
MOSFET Dual N/P-Ch 30V 2.72A/2.06A SOIC8
1.36W 20V 3V@ 250µA 3.9nC@ 10V 2N+2PChannel 30V 125mΩ@ 2.5A,10V 2.17A，1.64A 190pF@25V SOIC-8 SMD mount
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.17A I(D), 30V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P/N沟道, 30V, 2.17A;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.17 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.36 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
Power Dissipation1.36 W
Rds On Max125 mΩ
Resistance125 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12.1 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen