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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-06-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF8010STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Mosfet Transistor; Transistor Polarity:N |Infineon Technologies IRF8010STRLPBF.

Newark

Single N-Channel 100 V 15 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Win Source

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, 100V, 80A, 15 MOHM, 81 NC QG, D2-PAK | Infineon IRF8010STRLPBF

RS (Formerly Allied Electronics)

SMPS MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 80 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 15 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 120 / Rise Time ns = 130 / Turn-OFF Delay Time ns = 61 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 260

Distrelec

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRF8010STRLPBF.
SP001565774

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +180%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance15 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Dual Supply Voltage100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time120 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.83 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation260 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance15 mΩ

Package Quantity800

PackagingCut Tape

Power Dissipation260 W

Rds On Max15 mΩ

Resistance15 MΩ

Rise Time130 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time61 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.668 mm

Width9.65 mm