Infineon IRF7910TRPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.2Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7910TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;Dual N-Ch;VDSS 12V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 10A;SO-8;PD 2W;-55deg
Single N-Channel 12 V 15 mOhm 17 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 12V 10A 8-Pin SOIC T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 12V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:12V; Continuous Drain Current, Id:10A; On Resistance, Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.73 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max15 mΩ
Resistance15 MΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen