Infineon IRF7807VPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 17 Milliohms; Id 8.3A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 21 Jahren

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

TME

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Verwandte Teile

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
InfineonIRF7905TRPBF
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
STMicroelectronicsSTS10DN3LH5
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
InfineonIRF7902TRPBF
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.4A/9.7A 8-Pin SOIC T/R
Diodes Inc.DMN3024LSD-13
Mosfet, Dual, N-Ch, 30V, 6.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3024LSD-13
Diodes Inc.DMN3024LSS-13
1.6W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 12.9nC@ 10 V 1N 30V 24m¦¸@ 7A,10V 6.4A 608pF@15V SOIC-8

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7807VPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:8.3A; On Resistance, Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:8.3A; Resistance, Rds On:0.017ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:66A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7807VPBF; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Width, External:4.05mm

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001551538