Infineon IRF7807VPBF
Obsolete
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Bestandsverlauf
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN3024LSD-13
Dual N-Channel 30 V 6.8 A 1.8 W Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SO-8
Diodes Inc.DMN3024LSS-13
1.6W(Ta) 20V 3V@ 250µA 12.9nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 24mΩ@ 7A,10V 6.4A 608pF@15V SOIC-8 SMD mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7807VPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:8.3A; On Resistance, Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:8.3A; Resistance, Rds On:0.017ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:66A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7807VPBF; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Width, External:4.05mm
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.3 A
Current Rating8.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Fall Time2.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance25 mΩ
Package Quantity95
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max25 mΩ
Rise Time1.2 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time6.3 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen