STMicroelectronics STS10DN3LH5
$ 0.6
NRND
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STS10DN3LH5 | 10.485 | 1 | |||||||||
| Verical | STS10DN3LH5 | 5.000 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | STS10DN3LH5 | 2 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-10011-1-ND | 3.411 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STS10DN3LH5 | 0 | 2500 | 11h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.64%
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN3024LSD-13
Mosfet, Dual, N-Ch, 30V, 6.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3024LSD-13
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS10DN3LH5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
Dual N-channel 30 V, 0.019 Ohm;, 10 A, SO-8 STripFET (TM); V Power MOSFET
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 10A, SOIC; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V
Mosfet, Dual N-Ch, 30V, 10A, Soic; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:30V; Continuous Drain Current Id N Channel:10A; Continuous Drain Current Id P Channel:10A Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STS10DN3LH5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.64%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance475 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max21 mΩ
Resistance21 MΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant