Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7805ATRPBF | 0 | 4K | Bulk | 17h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7805ATRPBF | 4.380 | 260 | 5h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7805ATRPBF | 15.884 | 7 | Tape & Reel | 28m | |||||||
| ICPartonline | IRF7805ATRPBF | 6.509 | >1wk | |||||||||
| Anlinkda | IRF7805ATRPBF | 50.563 | 1d |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Verwandte Teile
InfineonIRF7809AVTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7805TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.2Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
VishaySI4172DY-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7805ATRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
MOSFET, 30V, 13A, 11 MOHM, 22 NC QG, SO-8
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen