Infineon IRF7748L1TRPBF
$ 1.753
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-05-15
LTD Date2023-11-15
Verwandte Teile
InfineonIPB180N06S4H1ATMA2
60V, N-Ch, 1.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
InfineonIPB180N06S4H1ATMA2
60V, N-Ch, 1.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
STMicroelectronicsSTH260N6F6-6
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7748L1TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 148A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Single N-Channel 60 V 2.2 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
MOSFET, N CH, 60V, 148A, DIRECTFET L6-13; Available until stocks are exhausted
A 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L6 package rated at 28 amperes optimized with low on resistance., MG-WDSON-9, RoHS
Infineon SCT
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins13
Technical
Continuous Drain Current (ID)148 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.075 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.2 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max2.2 mΩ
Rise Time104 ns
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height740 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen