Infineon IRF7530PBF
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Obsolete
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Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
MSOP
Drain to Source Voltage (Vds)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
5.4 A
5.4 A
Threshold Voltage
-
1.2 V
Rds On Max
30 mΩ
30 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.3 W
1.3 W
Input Capacitance
1.31 nF
1.31 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
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Diodes Inc.DMG6968U-7
Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7530PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;Dual N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 5.4A;Micro8;PD 1.3W;gFS 13S
Dual N-Channel MOSFET 20V 5.4A 30mΩ@4.5V,5.4A 1.31nF@15V 1.3W 12V 1.2V@250µA 26nC@4.5V SMD
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual N-Channel MOSFET
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Mosfet Array 20V 5.4A 1.3W Surface Mount Micro8™
20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, N, MICRO8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:5.4A; Resistance, Rds On:0.03ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:1.2V; Case Style:Micro8; Termination Type:SMD
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Current Rating5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.31 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
On-State Resistance30 mΩ
Package Quantity80
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max30 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height910 µm
Length3.048 mm
Width3.048 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen