Infineon IRF7473TRPBF
$ 0.657
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7473TRPBF | 74.878 | 21h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7473TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 13h | |||||||
| Farnell | IRF7473TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Microchip USA | IRF7473TRPBF | 2.857 | 600 | 14h | ||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF7473TRPBF | 3.460 | 1 | Tape & Reel | 1d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +86.44%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7473TRPBF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRF7473TRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-11-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRF7495TRPBF
Single N-Channel 100 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
VishaySI4056DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
VishaySI7456DDP-T1-GE3
VISHAY SI7456DDP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7473TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Single N-Channel 100 V 26 mOhm 61 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N-CH, 100V, 6.9A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.9A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.9A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +86.44%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Current Rating6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.18 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7473TRPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen