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Infineon IRF7495TRPBF

Single N-Channel 100 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
$ 0.892
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Avnet
IRF7495TRPBF
4.000
4K
USD
0,507
11h
Newark
3
IRF7495TRPBF
1.527
1
Cut Tape
USD
2,520
2,520
1,210
0,990
0,949
Future Electronics
2
IRF7495TRPBF
32.000
4K
Tape & Reel
USD
0,465
Rutronik
TMOS1222
52.000
4K
USD
0,575
16h
Rochester Electronics
IRF7495TRPBF
3.108
USD
0,787
0,653
0,582
8h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7495TRPBF herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren

element14 APAC

_legacy Avnet

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Country of OriginMainland China, Philippines, Taiwan, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-09-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7495TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 100 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Component Sense
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 18Milliohms;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
Win Source
Infineon N-Channel MOSFET HEXFET Series Vds=100V 7.3A SOIC SMD 8-Pin
UnikeyIC
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: Load Switch High Side
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:7.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:2.5W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 7.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 22 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 36 / Rise Time ns = 13 / Turn-OFF Delay Time ns = 10 / Turn-ON Delay Time ns = 8.7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Distrelec

Bilder

Infineon
RS
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
LZChips
Component Sense
International Rectifier
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 7495TRPBF
  • IRF7495TRPBF.
  • SP001565412