Infineon IRF7457TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7457TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 22h | |||||||
| Farnell | IRF7457TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 9h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7457TRPBF | 5.590 | 12 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7457TRPBF | 15.400 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| ICPartonline | IRF7457TRPBF | 26.485 | >1wk |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7456TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.0047Ohm;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;-55
InfineonIRF3717TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7457TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Single N-Channel 20 V 7 mOhm 28 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:15A; On Resistance Rds(On):0.0055Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating15 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 MΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen