Infineon IRF3717TRPBF
$ 0.81
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF3717TRPBF | 0 | 10 | Bulk | 1h | |||||||
| Farnell | IRF3717TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Sensible Micro | IRF3717TRPBF | 20 | 3d | |||||||||
| Win Source | WS-IRF3717TRPBF | 880 | 75 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF3717TRPBF | 15.061 | 7 | Tape & Reel | 1d |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRF7457TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7456TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.0047Ohm;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;-55
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3717TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Single N-Channel 20V 4.4 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:20A; On Resistance, Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Drain Source On Resistance @ 10V:4.4mohm RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.89 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.4 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.4 mΩ
Resistance4.4 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen