Infineon IRF7451PBF

INFINEON IRF7451PBF MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V
$ 0.62
Obsolete
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IHS

Datasheet8 SeitenVor 21 Jahren

TME

Future Electronics

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.62
$ 0.506
Stock
452,332
961,233
Authorized Distributors
3
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
3.6 A
3.6 A
Threshold Voltage
5.5 V
-
Rds On Max
-
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
990 pF
990 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF7451TRPBF
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
InfineonIRF7205TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID -4.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTS4NF100
MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 100 V, 60 mohm, 10 V
InfineonIRF7450TRPBF
Single N-Channel 200 V 0.17 Ohm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2.7 A, 85 MilliOhms, NSOIC, 8 Pins, Surface Mount

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7451PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

INFINEON IRF7451PBF MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
SMPS HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:3.6A; On Resistance, Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:3.6A; Resistance, Rds On:0.09ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:29A; Pin Configuration:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Power, Pd:2.5W; Time, Fall:15ns; Time, Rise:4.2ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:150V; Voltage, Vgs Max:30V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF7451 PBF