Infineon IRF7351TRPBF
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRF7351TRPBF | 8.000 | 4K | 2d | ||||||||
| Newark | IRF7351TRPBF | 2.663 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF7351TRPBF | 10.689 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRF7351TRPBF | 16.000 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | IRF7351TRPBFCT-ND | 29.076 | 1 | Cut Tape |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Price @ 1000
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$ 1.14
Stock
1,376,031
1,053,044
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
17.8 mΩ
17.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
1.33 nF
1.33 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonBSO615CGHUMA1
Dual Mosfet, N And P Channel, 3.1 A, 60 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1.6 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIRF7478QPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 26 Milliohms;ID 4.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7351TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N-Channel 60 V 17.8 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.0178ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Dual N-Channel MOSFET
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:8A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.0178ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance17.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time6.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance17.8 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max17.8 mΩ
Rise Time5.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen