Infineon IRF7319PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRF7389TRPBF
Dual N/P-Channel 30 V 0.029/0.058 Ohm 22/23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
VishaySI4830CDY-T1-GE3
Si4830CDY Series Dual N-Channel 30 V 20 mOhm 2.9 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06 Series Dual 30 V 0.035 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
Diodes Inc.ZXMC3A16DN8TA
Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7319PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N/P-Channel 30V 0.029/0.058 Ohm 22/23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC Tube
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:6.5A; On Resistance, Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Cont Current Id N Channel 2:6.5A; Cont Current Id P Channel:4.9A; Current Id Max:6.5A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:2; On State Resistance N Channel Max:29mohm; On State Resistance P Channel Max:58mohm; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:30A; Pulse Current Idm N Channel 2:30A; Pulse Current Idm P Channel:30A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7319; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance650 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements2
On-State Resistance29 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max29 mΩ
Resistance29 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen