Infineon IRF6655TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF6655TRPBF | 0 | 4800 | Bulk | 7h | |||||||
| Farnell | IRF6655TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 13h | |||||||
| Win Source | WS-IRF6655TRPBF | 1.557 | 95 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF6655TRPBF | 19.011 | 7 | Tape & Reel | 14h | |||||||
| Anlinkda | IRF6655TRPBF | 40.109 | 20h |
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19
Verwandte Teile
InfineonIPG16N10S461ATMA1
100V, Dual N-Ch, 61 mΩ max, Automotive MOSFET, dual SS08 (5x6), OptiMOS™-T2, PG-TDSON-8, RoHS
STMicroelectronicsSTD15NF10T4
N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6655TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 53 mOhm 8.7 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R
Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side
MOSFET, N-CH, 100V, 19A, DIRECTFET SH; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 19A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Current Rating4.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance62 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time4.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance530 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance62 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max62 mΩ
Rise Time2.8 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time7.4 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height676 µm
Length4.826 mm
Width3.9624 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen