Infineon IRF6201TRPBF
$ 0.97
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF6201TRPBF | 0 | 10 | Bulk | 11h | |||||||
| Farnell | IRF6201TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 17h | |||||||
| Win Source | WS-IRF6201TRPBF | 20 | 20 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF6201TRPBF | 10.215 | 7 | Tape & Reel | 18h | |||||||
| ICPartonline | IRF6201TRPBF | 18.562 | 3d |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-10-31
LTD Date2020-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRF7404PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID -6.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7401TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;VF
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6201TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, 20V, 27A, 2.5 MOHM, 130 NC QG, 2.5V DRIVE CAPABLE, SO-8
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.00245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-Standard Pinout | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
MOSFET, N-CH, 20V, 27A, SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 27A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1.1V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance2.45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time265 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance8.555 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.45 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.45 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time320 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen