Infineon IRF7401TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 20V; Rds(on) 0.022 Ohm; Id 8.7A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-12V; Vf
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7401TRPBF04KBulk
3h
Farnell
2
IRF7401TRPBF01Cut Tape
13h
Component Stockers USAIRF7401TRPBF19.867
>1wk
Win SourceWS-IRF7401TRPBF5.610185
14h
Worldway ElectronicsIRF7401TRPBF12.5677Tape & Reel
13h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren

IHS

_legacy Avnet

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

VishaySI9926CDY-T1-E3
Dual N-Channel 20 V 0.018 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Details
InfineonIRF7404PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID -6.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
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Dual N/P-Channel 20 V 28/45 mOhm 11.6/15.4 nC 2.14 W Silicon Mosfet - SOIC-8
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InfineonIRF7331TRPBF
Dual N-Channel 20 V 30 mOhm 13 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Details
Diodes Inc.DMN2041LSD-13
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 7.63A 8-Pin SOIC T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7401TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;VF
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 20V 0.022 Ohm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:8.7A; On Resistance, Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 8.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 22 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 92 / Rise Time ns = 72 / Turn-OFF Delay Time ns = 65 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Distrelec

Bilder

Infineon
TME
element14 APAC
International Rectifier
iiiC
Component Sense
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF7401TRPBF.
  • SP001551308