Infineon IRF7402TRPBF
$ 0.424
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7402TRPBF | 763 | 17h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7402TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 6h | |||||||
| Farnell | IRF7402TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 17h | |||||||
| Mouser | 942-IRF7402TRPBF | 1.515 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-IRF7402TRPBF | 15.400 | 175 | 18h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-10-03
LTD Date2014-04-03
Verwandte Teile
InfineonIRF7404PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID -6.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7401TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;VF
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7402TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 20 V 35 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:6.8A; On Resistance, Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.8 A
Current Rating6.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance650 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance35 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time47 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen