Infineon IRF520NSPBF

Name: Infineon IRF520NSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF520NSPBF

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

$ 1.13

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF520NSPBF	0	550	Bulk				1,130	1,130	21h
Farnell		IRF520NSPBF	0	1		2,820*	2,820*	1,256*	0,992*	0,992*	1d
Win Source		WS-IRF520NSPBF	69	65				0,939	0,626	0,626	6h
Worldway Electronics		IRF520NSPBF	18.653	7	Tube		0,346	0,335	0,317	0,317	5h
Classic Components	3	IRF520NSPBF	51					3,600	3,600	3,600	20h

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1 Teil verfügbar

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

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InfineonIRF520NSPBF

InfineonIRF520NSTRLPBF

Price @ 1000

$ 1.13

$ 1.05

Stock

57,720

188,876

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

9.7 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

200 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

330 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF520NSPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.7A; On Resistance, Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:91mJ; Capacitance Ciss Typ:330pF; Current Iar:5.7A; Current Id Max:9.7A; Current Idss Max:25µA; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.16mm; Fall Time tf:23ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3.1°C/W; N-channel Gate Charge:25nC; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:200mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:38A; Rise Time:23ns

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

520NSPBF

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.7 A

Current Rating9.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance200 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time23 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance330 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation48 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance200 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation3.8 W

Rds On Max200 mΩ

Recovery Time150 ns

Resistance200 mΩ

Rise Time23 ns

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time32 ns

Turn-On Delay Time4.5 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.668 mm

Width10.16 mm

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