onsemi NTB13N10G
$ 0.23
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31
Verwandte Teile
onsemiNTB18N06T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 15A Tc 15A 48.4W 13ns
onsemiNTB75N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.7A Ta 75A Tc 75A 74.4W 18.4ns
STMicroelectronicsSTB5NK50ZT4
Mosfet Transistor, N Channel, 4.4 A, 500 V, 1.22 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
International RectifierIRF5210STRL
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTB13N10G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 13A Ta 13A 64.7W 36ns
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
MOSFETs- Power and Small Signal 100V 13A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation64.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation64.7 W
Rds On Max165 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen