Infineon IRF3710LPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-05-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRFSL4510PBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRF5210LPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -40A;TO-262;PD 200W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3710LPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 23 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:57A; On Resistance, Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Current Rating57 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.13 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance23 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance23 MΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen