Infineon IRF360
$ 27.71
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF360, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package, TO-204AE-2
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
25 A 400 V 0.23 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-204AE
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
MountThrough Hole
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Current Rating25 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance230 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Power Dissipation300 W
Voltage Rating (DC)400 V