Infineon IRF2804SPBF

Single N-Channel 40 V 2 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 4.89
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF2804SPBF herunter.

IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

Farnell

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRF2804SPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
Trans MOSFET N-CH Si 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB80NF03L-04T4
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II POWER MOSFET
InfineonIRL1404ZSPBF
Single N-Channel 40 V 3.1 mOhm 75 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
STMicroelectronicsSTB120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF2804SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 40 V 2 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.5Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 330W;VGS +/-20
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, 40V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:2804; Current Id Max:270A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:300mW; Pulse Current Idm:1080A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET(R) Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175oC junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF2804SPBF.
  • SP001561604