Infineon IRF1407SPBF

Name: Infineon IRF1407SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1407SPBF

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

$ 3.09

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF1407SPBF	0	350	Bulk				3,090	3,090	17h
Farnell	IRF1407SPBF	0	1		2,166*	2,166*	1,771*	1,512*	1,512*	1d
Win Source	WS-IRF1407SPBF	15.310	50				1,083	0,722	0,722	1h
Worldway Electronics	IRF1407SPBF	9.791	7			0,259	0,251	0,238	0,238	1d
Anlinkda	IRF1407SPBF	29.740			1,262	1,130	1,025	0,977	0,949	8h

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

Farnell

Jameco

DigiKey

Newark

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-10-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-10-25

LTD Date2015-04-25

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1407SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

SHENGYU ELECTRONICS

MOSFET, N, 75V, 100A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:D2-PAK; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:D2-PAK; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:7.8mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:520A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:75V; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC

Bilder

Augswan

TME

Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating130 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance7.8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Fall Time140 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.6 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation3.8 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation200 W

Rise Time150 ns

Turn-Off Delay Time150 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Voltage Rating (DC)75 V

Dimensions

Height4.826 mm

Length10.668 mm

Width9.65 mm

Datenblätter und Dokumente

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