Infineon IRF3205PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; TO-220AB; PD 200W; gFS 44S
$ 0.678
Production
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
63J723643.5971
4d
NewarkIRF3205PBF80.7301
Future Electronics
3
IRF3205PBF325.35050Tube
Arrow Electronics
2
IRF3205PBF21.2211
Rochester ElectronicsIRF3205PBF37.116
6h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet8 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 25 Jahren

IHS

Upverter

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Alternative Teile

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Alternative Teile
InfineonIRF3205PBF
onsemiHUF75344P3
onsemiHUF75344P3
Price @ 1000
$ 0.678
$ 1.47
$ 1.47
Stock
2,967,733
184,592
184,592
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
8 mΩ
8 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
285 W
285 W
Input Capacitance
3.247 nF
3.2 nF
3.2 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-01-09
LTD Date2014-07-09

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Details
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Mosfet Transistor, N Channel, 77 A, 40 V, 6.2 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF3205PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 200W;gFS 44S
RS (Formerly Allied Electronics)
Transistor MOSFET N Channel 55 Volt 110 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 AB
Jameco
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
55V 110A 8m´Î@10V62A 200W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
N Channel Mosfet, 55V, 110A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF3205PBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
Farnell
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DKO Electronshik
RS
Newark
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Micros
Conrad
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC
Entegreci
reichelt
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International Rectifier
Jameco
SOS electronic
Rochester Electronics
Newark
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 3205
  • IRF 3205
  • IRF 3205 PBF
  • IRF--3205
  • IRF-3205
  • IRF3205
  • IRF3205 PBF
  • IRF3205PBF.
  • IRF3205PBF..
  • IRF3205PBF....
  • SP001559536