Infineon IR2109SPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC / Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
$ 1.81
Obsolete
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IHS

Datasheet25 SeitenVor 22 Jahren
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SHENGYU ELECTRONICS

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Price @ 1000
$ 1.81
$ 0.817
Stock
583,555
591,629
Authorized Distributors
6
6
Case/Package
SOP
SOP
Number of Pins
8
8
Channel Type
Synchronous
Synchronous
Number of Drivers
1
2
Max Output Current
350 mA
350 mA
Rise Time
150 ns
220 ns
Fall Time
50 ns
80 ns
Min Supply Voltage
10 V
10 V
Max Supply Voltage
20 V
20 V
Max Power Dissipation
625 mW
625 mW

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.60
Introduction Date1999-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

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Driver 600V 0.25A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC
Gate Power Driver IC / IC HALF BRIDGE DVR HV OSC 8SOIC
MOSFET Driver, High Voltage, Half Bridge, with Inbuilt Oscillator
TTL input, dual inverting output, peak 5A sink, 5A source current Low-Side Gate Driver

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IR2109SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC / Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Infineon 8Pin gate driver module, 20VPower, SOICencapsulation
600 V half-bridge gate driver IC with shutdown, SOIC 8N, RoHS
Infineon SCT
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
MOSFET Driver IC; Device Type:Half-Bridge; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:25V; Termination Type:SMD; Package/Case:8-SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Delay Matching:60ns ;RoHS Compliant: Yes
EiceDRIVER™ 600 V half bridge gate driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2109S06F, providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency
DRIVER, MOSFET/IGBT, HALF BRIDGE, SMD; Device Type:MOSFET; Module Configuration:Half Bridge; Peak Output Current:350mA; Input Delay:750ns; Output Delay:200ns; Supply Voltage Range:10V to 20V; Driver Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; MSL:MSL 2 - 1 year; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:2109; IC Generic Number:2109; Logic Function Number:2109; No. of Outputs:2; Offset Voltage:600V; Operating Temperature Max:125°C; Operating Temperature Min:-40°C; Output Current:200mA; Output Sink Current Min:250mA; Output Source Current Min:120mA; Output Voltage:620V; Output Voltage Max:20V; Output Voltage Min:10V; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:0.625W; Supply Voltage Max:20V; Supply Voltage Min:10V; Termination Type:SMD; Turn Off Time:200ns; Turn On Time:750ns

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIR2109SPBF
  • SP001538274