Infineon IPT015N10N5ATMA1
$ 3.032
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IPT015N10N5ATMA1 | 274.000 | 2K | 23h | ||||||||
| Newark | IPT015N10N5ATMA1 | 3.416 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPT015N10N5ATMA1 | 6.000 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP12810 | 6.000 | 2K | 4h | ||||||||
| DigiKey | IPT015N10N5ATMA1CT-ND | 11.732 | 1 | Cut Tape |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +13.45%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPT015N10N5ATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPT015N10N5ATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIPT012N08N5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R / N-channel, normal level
InfineonIRF7759L2TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R / MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
InfineonIRF7759L2TR1PBF
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: DirectFET Polarity: N Power dissipation: 3.3 W
onsemiFDB035N10A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 214 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPT015N10N5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
100V 300A 375W 1.5m´Î@10V150A 3.8V@250Ã×A N Channel PG-HSOF-8 MOSFETs ROHS
MOSFETs; IPT015N10N5; INFINEON TECHNOLOGIES; 100 V; 32 A; 20 V; 375 W
OptiMOSTM 5Power-Transistor,100V, PG-HSOF-8, RoHS
Infineon SCT
375KW 20V 3.8V 169nC@ 10V 1N 100V 1.5m¦¸@ 10V 300A 12nF@ 50V HSOF-8,TO-3P-3L , 9.9mm*10.38m*2.3mm
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 100V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 100V, 300A, HSOF;
Ideal for high frequency switching and sync. rec
Unclassified Tape & Reel (TR) PG-HSOF-8
MOSFETs N-Channel 100V 300A HSOF8
Mosfet, N-Ch, 100V, 300A, 175Deg C, 375W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:300A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT015N10N5ATMA1
Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high current applications up to 300 A, such as forklifts, light electric vehicles (LEV), power tools, point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design. Compared to D²PAK 7-pin, TO-Leadless shows a substantial reduction in footprint of 30 percent. The 50 percent reduced height offers a significant advantage in narrow applications such as rack or blade servers.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +13.45%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance1.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.5 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPT015N10N5ATMA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen