Infineon IPP77N06S212AKSA2
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP80N06S2L11AKSA2
55V, N-Ch, 11 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPP80N06S2L09AKSA2
55V, N-Ch, 8.5 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP100N6F7
N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP77N06S212AKSA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
55V, N-Ch, 12 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 55V, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:77A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(On):0.0098Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP77N06S212AKSA2
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)77 A
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Input Capacitance1.77 nF
Max Dual Supply Voltage55 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation158 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance12 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation158 W
Rds On Max12 mΩ
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen