Infineon IPP65R310CFDXKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29
Verwandte Teile
InfineonIPA65R280E6XKSA1
32W 20V 45nC@ 10V 1N 700V 280m¦¸@ 10V 13.8A 950pF@ 100V TO-220 10.65mm*4.85mm*16.15mm
STMicroelectronicsSTP18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP13N65M2
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP65R310CFDXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 650V, 11.4A, To-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.4A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.28Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP65R310CFDXKSA1
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Drain to Source Resistance310 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance310 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation104.2 W
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen