STMicroelectronics STP18N65M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP18N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP18N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN TO-220
Mosfet, N-Ch, 650V, 12A, 150Deg C, 110W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP18N65M2
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
650V 12A 330m´Î@10V6A 110W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Number of Elements1
Rds On Max330 mΩ
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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