Infineon IPP65R225C7XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Through Hole
$ 1.105
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
NewarkIPP65R225C7XKSA14901
DigiKeyIPP65R225C7XKSA1-ND5001Tube
Future Electronics
2
IPP65R225C7XKSA1050Tube
AvnetIPP65R225C7XKSA1050
1d
Arrow ElectronicsIPP65R225C7XKSA10500

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPP65R225C7XKSA1 herunter.

IHS

Datasheet15 SeitenVor 0 Jahren

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-8.85%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPP65R225C7XKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-04-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Verwandte Teile

InfineonIPP65R190C7FKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Details
InfineonIPP65R280C6XKSA1
Transistor MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin TO-220 T/R
Details
InfineonIPP50R280CEXKSA1
N-Channel 500 V 13 A 92 W 280 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO220-3-1
Details
STMicroelectronicsSTP18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Details
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
Details
STMicroelectronicsSTP19NM50N
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPP65R225C7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Through Hole
EBV Elektronik
N-Channel 650V 11A(Tc) 4V @ 240uA 225mΩ @ 4.8A,10V 63W(Tc) PG-TO220-3 MOSFET RoHS
Jak Electronics
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Verical
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.199ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;
Farnell
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Infineon

Bilder

element14 APAC
TME
LZChips
RS
UTSource
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPP65R225C7
  • SP000929432