Infineon IPP086N10N3GXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
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N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3 / N-Channel 100 V 73A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP086N10N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-220, Through Hole
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0074Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP086N10N3GXKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance8.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.99 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance8.6 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation125 W
Rds On Max8.6 mΩ
Rise Time42 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen