Infineon IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
$ 0.713
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPI086N10N3GXKSA1 herunter.

IHS

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

Factory Futures

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+18.88%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPI086N10N3GXKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF3710ZLPBF
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
InfineonIRFSL4510PBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
onsemiFDI150N10
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V, 57A, 16mΩ
InfineonIRFSL3607PBF
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
InfineonIRF1407LPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPI086N10N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0074Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPI086N10N3 G
  • IPI086N10N3G
  • SP000683070