Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-01-31
LTD Date2011-07-31
Verwandte Teile
InfineonIPD90N06S407ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S407ATMA2
InfineonIPD90N06S407ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S407ATMA2
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
Diodes Inc.DMTH4007LK3-13
2.6W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 29.1nC@ 10 V 1N 40V 7.3m¦¸@ 20A,10V 16.8A,70A 1.895nF@30V TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD80N06S3-09, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin TO-252
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Rds On Max8.4 mΩ
Rise Time42 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Datenblätter und Dokumente
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