Infineon IPD60R400CEAUMA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.489
NRND
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IHS

Datasheet17 SeitenVor 0 Jahren

Infineon

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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Surface Mount
Single N-Channel 600 V 45 Ohm 4.5 nC SIPMOS® Power Mosfet - SOT-223
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, DPAK
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK
STMicroelectronicsSTN1NK60Z
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD60R400CEAUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
112W 20V 3.5V 32nC@ 10V 2N 650V 400m¦¸@ 10V,3.8A 14.7A 700pF@100V TDSON-8,TO-252
IPD60R400CE Series 600 V 14.7 A 0.4 Ohm Single N-Channel MOSFET - TO-252-3
600V 14.7A 400m惟@10V,3.8A 112W 3.5V@300uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Infineon MOSFET IPD60R400CEAUMA1
Very high commutation ruggedness
IPD60R400 - 600V COOLMOS N-CHANN
MOSFET, N-CH, 600V, 14.7A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14.7A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 112W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CE Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD60R400CE
  • SP001396880