Infineon IPD200N15N3GATMA1

OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
$ 1.056
Production
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IPD200N15N3GATMA112.5002500
15h
Newark
2
IPD200N15N3GATMA1121Cut Tape
Arrow Electronics
4
IPD200N15N3GATMA14.9751
RutronikTMOS114015.0002500
20h
Rochester ElectronicsIPD200N15N3GATMA117.650
13h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

Future Electronics

element14 APAC

Newark

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Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Verwandte Teile

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N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
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N CH POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
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Automotive Q101 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
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InfineonIRFR4615PBF
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD200N15N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Win Source
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Verical
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Infineon
MOSFET, N CH, 50A, 150V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Bilder

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RS APAC
Newark
RS
Future Electronics
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD200N15N3 G
  • IPD200N15N3-G
  • IPD200N15N3G
  • IPD200N15N3GBTMA1
  • SP000386665
  • SP001127820