Infineon AUIRFR4615
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Stock
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354,163
Authorized Distributors
3
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
33 A
33 A
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
42 mΩ
42 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
144 W
144 W
Input Capacitance
1.75 nF
1.75 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-08-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Verwandte Teile
InfineonIRFR4615TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
InfineonIRFR4615PBF
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED
InfineonIRFR6215TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFR4615, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET, N CH, 150V, 33A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:144W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance42 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation144 W
Rds On Max42 mΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen