Infineon IPB80N06S2H5ATMA2
$ 1.835
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPB80N06S2H5ATMA2 | 295 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | IPB80N06S2H5ATMA2 | 584 | 4h | |||||||||
| Arrow Electronics | IPB80N06S2H5ATMA2 | 1.000 | 1K | |||||||||
| Avnet | IPB80N06S2H5ATMA2 | 0 | 1K | 6h | ||||||||
| Mouser | 726-IPB80N06S2H5ATMA | 5.890 | 1 | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +497%
CAD-Modelle
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB100N06S205ATMA4
55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB80N04S2H4ATMA2
40V, N-Ch, 3.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB170NF04
Automotive-grade N-channel 40 V, 4.4 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB80N06S2H5ATMA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
55V, N-Ch, 5.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 55V, 80A, To-263-3 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB80N06S2H5ATMA2
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Dual Supply Voltage55 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.2 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height4.4 mm
Length10 mm
Width9.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen