Infineon IPB65R110CFDAATMA1
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2,284,998
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
110 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
-
Input Capacitance
3.24 nF
-
Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB65R110CFDAATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 650 V 31.2 A 277.8 W 110 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
277.8W 20V 4.5V 118nC@ 10V 1individualNChannel 650V 110mΩ@ 10V 31.2A 3.24nF@ 100V TO-263 SMD mount，glue mount 10mm*9.25mm*4.4mm
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.099ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.2 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.24 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation277.8 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
On-State Resistance110 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation277.8 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time16 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen