Infineon IPB017N08N5ATMA1
$ 2.714
Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPB017N08N5ATMA1 | 100 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | IPB017N08N5ATMA1CT-ND | 2.357 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPB017N08N5ATMA1 | 0 | 1K | 2d | ||||||||
| Future Electronics | IPB017N08N5ATMA1 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB017N08N5ATMA1 | 0 | 1K |
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFDB86360-F085
FDB86360 Series 80 V 110 A 1.8 mOhm N-Ch Power Trench Mosfet - D²PAK (TO-263AB)
InfineonIPB020N10N5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 176 A, 2 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
STMicroelectronicsSTH140N8F7-2
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB017N08N5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK package, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 375W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB017N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.7 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.7 mΩ
Rise Time36 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time102 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen