Infineon IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
$ 1.24
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB011N04LGATMA1 herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 15 Jahren

_legacy Avnet

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+7.17%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPB011N04LGATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-12-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Verwandte Teile

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
onsemiFDB8441
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
onsemiFDB8442
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 40 V 0.0021 O 240 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
onsemiFDB8447L
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB011N04LGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
180 A 40 V 0.0014 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Infineon NMOSFET + OptiMOS 5, Vds=40 V, 180 A, TO-263-7, , 7
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CH 40V 180A 2mOhm TO263-7 RoHSconf
IPB011N04LG INFINEON TO-263-7-3
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N CH, 180A, 40V, PG-TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):800µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180A; Power Dissipation Pd:250W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB011N04L G
  • IPB011N04LG
  • SP000391498