Infineon IPA60R380C6XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-31
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
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N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE TO-220AB SILICON Mosfet Transistor 10.2A 31W 600V 0.38Ohm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA60R380C6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10.6 A, 380 Milliohms, TO-220FP, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO220-FP; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; Current Id Max:10.6A; Power Dissipation Pd:31W; Voltage Vgs Max:30V
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance380 mΩ
Package Quantity500
PackagingRail/Tube
Power Dissipation31 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height9.45 mm
Length10.36 mm
Width4.57 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen