Infineon IPA65R310CFDXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29
Verwandte Teile
VishaySIHF12N65E-GE3
E Series N Channel 650 V 380 mO 70 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
VishaySIHP12N65E-GE3
E Series N Channel 650 V 156 W 0.38 O 70 nC Flange Mount Power MOSFET -TO-220AB
STMicroelectronicsSTF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA65R310CFDXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin TO-220FP Tube
Avnet Japan
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 11.4A, To-220Fp-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.4A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.28Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPA65R310CFDXKSA1
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Drain to Source Resistance310 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation32 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance310 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation32 W
Rds On Max310 mΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen