Infineon IPA60R125C6XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-26
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPA60R160C6XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 23.8 A, 160 Milliohms, TO-220FP, 3 Pins, Through Hole
VishaySIHF22N60E-GE3
35W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 86nC@ 10 V 1N 600V 180m¦¸@ 11A,10V 21A 1.92nF@100V TO-220 16.12mm
VishaySIHP33N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA60R125C6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
34W 20V 2.5V 96nC@ 10V 1N 600V 125m¦¸@ 10V 30A 2.127nF@ 100V TO-220 10.65mm*4.85mm*16.15mm
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
30 A 600 V 0.125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET,N CH,600V,30A,TO220-FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:34W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:30A; Voltage Vgs Max:30V
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation34 W
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time83 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen