Infineon IPA50R190CEXKSA2
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2015-10-31
LTD Date2016-04-30
Verwandte Teile
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N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA50R190CEXKSA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IPA50R190CE Series 500 V 18.5 A 190 mOhm CoolMOSTM CE Power Transistor -TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 24.8 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Through Hole
500V CoolMOS™ CE Power MOSFET | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
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MOSFET, N-CH, 500V, 18.5A, TO-220FP-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18.5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 13V; Threshold Voltage Vgs: 3
500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18.5 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance1.137 nF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation32 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation32 W
Rds On Max190 mΩ
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen