Infineon IPA086N10N3GXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP50N10S3L16AKSA1
100V, N-Ch, 15.7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T, PG-TO220-3, RoHS
NXP SemiconductorsBUK7528-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
onsemiFDP150N10A-F102
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA086N10N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER MOSFET, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 100V, 8.6MOHM, 45A
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
45 A 100 V 0.0086 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 100V, 45A, TO-220FP-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 45A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.7
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Drain to Source Resistance8.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.99 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation37.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance8.6 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation37.5 W
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen