Infineon IKW60N60H3FKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
onsemiFGH40N60UFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 290W TO247
onsemiFGH40N60SMD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
onsemiFGH80N60FDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 290W TO247
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKW60N60H3FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 / IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 416 W Through Hole PG-TO247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
416W 1.85V 600V 80mA TO-247 , 15.9mm*503cm*25.27mm
IKW60N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
TRANSISTOR, 600V, 80A, 416W, TO-247;
High speed 600 V, 60 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.
Igbt, Single, 600V, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.85V; Power Dissipation:416W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKW60N60H3FKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current80 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation416 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation416 W
Reverse Recovery Time143 ns
Turn-Off Delay Time252 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height25.57 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen