Infineon IGP10N60TXKSA1

IGP10N60T Series 600 V 24 A Through Hole IGBT TrenchStop - PG-TO-220-3
$ 0.597
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IGP10N60TXKSA1 herunter.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+20.42%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IGP10N60TXKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTGP10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220
STMicroelectronicsSTGP10NC60HD
STGP10NC60HD Series N-Channel 600 V 10 A Very Fast IGBT Flange Mount - TO-220
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGP7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS
IGBT 600V 23A 100W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IGP10N60TXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IGP10N60T Series 600 V 24 A Through Hole IGBT TrenchStop - PG-TO-220-3
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Hard-switching 600 V, 10 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Igbt, Single, 600V, 24A, To-220; Continuous Collector Current:24A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.5V; Power Dissipation:110W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGP10N60TXKSA1

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IGP10N60T
  • SP000683042